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掺杂GaN纳米线制备技术

ISBN:9787502496401
价格:72
副题名:
分辑号:
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主要著作者:崔真,吴辉,李恩玲著
发行地:北京
出版社:冶金工业出版社
出版日期:2023.1
页码:158页
开本:24cm
丛书项:
一般性附注:
读者对象:本书可供电子科学与技术、微电子学与固体电子学、光电信息工程、物理学类本科生、研究生及相关领域工程技术人员阅读。也可作为高等院校相关专业师生的教学参考书
主题词:安徽瀚文图书有限责任公司,推购书目,联合编目
中图法分类:TB383
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图表:
语种:chi
本书共分9章, 主要内容包括各种元素掺杂GaN纳米线的制备工艺与性能测试。对掺杂可以改善GaN纳米线电学特性的原因进行了讨论。另外, 还介绍了AIN包覆GaN纳米线的制备及表征, 分析了AlN包覆GaN纳米线的形成机理。本书内容涉及物理、化学、材料和电子信息等多个领域的相关知识, 书中详细地给出了各种掺杂GaN纳米线制备的最佳工艺, 以便读者更好地了解本书的内容。