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碳化硅功率模块设计

ISBN:9787111766544
价格:119
副题名:先进性、鲁棒性和可靠性
分辑号:
分辑名:
主要著作者:(日)阿尔贝托·卡斯特拉齐(Alberto Castellazzi),(意)安德里亚·伊拉斯(Andrea Irace)等著
发行地:北京
出版社:机械工业出版社
出版日期:2024
页码:247页
开本:24cm
丛书项:集成电路科学与工程丛书
一般性附注:
读者对象:
主题词:功率半导体器件
中图法分类:TN303
装帧:
版次:
图表:图,彩照
语种:chi
本书介绍了多芯片SiC MOSFET功率模块设计所面临的物理挑战及相应的工程解决方案,主要内容包括多芯片功率模块、功率模块设计及应用、功率模块优化设计、功率模块寿命评估方法、耐高温功率模块、功率模块先进评估技术、功率模块退化监测技术、功率模块先进热管理方案、功率模块新兴的封装技术等,旨在向读者提供关于多芯片SiC MOSFET功率模块定制开发相关的系统性指导。