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碳化硅功率器件

ISBN:9787111778936
价格:149
副题名:
分辑号:
分辑名:
主要著作者:高远,张岩编著
发行地:北京
出版社:机械工业出版社
出版日期:2025.3
页码:
开本:23cm
丛书项:电力电子新技术系列图书
一般性附注:
读者对象:
主题词:功率半导体器件
中图法分类:TN303
装帧:
版次:
图表:
语种:chi
本书综合了近几年工业界的最新进展和学术界的最新研究成果,详细介绍并讨论了碳化硅功率器件的基本原理、发展现状与趋势、特性及测试方法、应用技术和各应用领域的方案。本书共分为12章,内容涵盖功率半导体器件基础,SiC二极管的主要特性,SiCMOSFET参数的解读、测试及应用,SiC器件与Si器件特性对比,双脉冲测试技术,SiC器件测试和失效分析技术,高di/dt影响与应对——关断电压过冲,高dv/dt的影响与应对——串扰,高dv/dt影响与应对——共模电流,共源极电感影响与应对,驱动电路,SiC器件的主要应用。