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半导体器件建模与测试实验教程

ISBN:9787121493713
价格:58
副题名:基于华大九天器件建模与验证平台XModel
分辑号:
分辑名:
主要著作者:杜江锋,石艳玲,朱能勇编著
发行地:北京
出版社:电子工业出版社
出版日期:2025
页码:213页
开本:26cm
丛书项:集成电路系列丛书
一般性附注:国产EDA系列教材
读者对象:
主题词:半导体器件
中图法分类:TN303
装帧:
版次:
图表:
语种:chi
本教程在简要介绍MOSFET场效应晶体管器件结构和工作原理的基础上,全面叙述了MOSFET基本电学特性和二阶效应;介绍了MOSFET器件模型及建模测试结构和方案设计;给出了MOSFETBSIM模型参数提取流程;介绍了半导体器件SPICE模型建模平台EmpyreanXModel,深入介绍了XModel的基本功能和界面;介绍了MOSFET器件电学特性测试平台、测试模式和测试流程;分别介绍了MOSFET器件电学特性如C-V、转移特性和输出特性的测量方法;深入介绍了MOSFET模型参数提取的实验步骤和使用流程;介绍了MOSFET射频模型参数提取方法和使用流程;并介绍了GaN器件模型参数提取方法和使用流程。