氮化镓与碳化硅功率器件-T 工业技术-安徽瀚文图书有限责任公司

氮化镓与碳化硅功率器件

ISBN：9787122477545

价格：99

副题名：基础原理及应用全解

分辑号：

分辑名：

主要著作者：(意)毛里奇奥·迪保罗·埃米利奥(Maurizio Di Paolo Emilio)著

发行地：北京

出版社：化学工业出版社

出版日期：2025

页码：195页

开本：26cm

丛书项：

一般性附注：

读者对象：

主题词：功率半导体器件

中图法分类：TN303

装帧：

版次：

图表：图

语种：chi

本书阐释了氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)半导体的原理、制造工艺、特性表征、市场现状以及针对关键应用的设计方法。针对GaN器件，从材料特性、芯片设计、制造工艺和外特性各方面进行分析，介绍了仿真手段和各种典型应用，最后还介绍了目前主流的技术和GaN公司。针对SiC器件，主要介绍了芯片工艺、芯片技术、可靠性等，并对核心应用，如新能源汽车、储能等方面进行了介绍。

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